WAYON
Транзистор WMS175N10LG4
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 9.5 A
- Pulsed drain current
- 38 A
- Power dissipation
- 3.1 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 475 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%106,78 ₽
Сумма · с НДС 22%106,78 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 106,78 ₽ | |
| от 10 | 64,45 ₽ | |
| от 25 | 58,15 ₽ | |
| от 100 | 51,29 ₽ | |
| от 500 | 48,05 ₽ | |
| от 2000 | 44,24 ₽ | |
| от 4000 | 41,57 ₽ | |
| от 8000 | 40,23 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMS175N10LG4 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 9.5 A |
| Pulsed drain current | 38 A |
| Power dissipation | 3.1 W |
| Корпус | SOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 17.5 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 22.5nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.