WAYON
Транзистор WMS175DN10LG4
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 8.5 A
- Pulsed drain current
- 34 A
- Power dissipation
- 3.1 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 15 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%157,66 ₽
Сумма · с НДС 22%157,66 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 157,66 ₽ | |
| от 10 | 104,66 ₽ | |
| от 25 | 94,02 ₽ | |
| от 100 | 83,20 ₽ | |
| от 500 | 76,93 ₽ | |
| от 2000 | 72,18 ₽ | |
| от 4000 | 67,05 ₽ | |
| от 8000 | 64,96 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMS175DN10LG4 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 8.5 A |
| Pulsed drain current | 34 A |
| Power dissipation | 3.1 W |
| Корпус | SOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 21 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 22.5nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 3.1W; SOP8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.