WAYON
Транзистор WMS099N10LGS
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 8.2 A
- Pulsed drain current
- 48 A
- Рассеиваемая мощность
- 3 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 90 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%196,92 ₽
Сумма · с НДС 22%196,92 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 196,92 ₽ | |
| от 10 | 125,09 ₽ | |
| от 25 | 112,90 ₽ | |
| от 100 | 99,58 ₽ | |
| от 500 | 92,83 ₽ | |
| от 2000 | 86,64 ₽ | |
| от 4000 | 80,64 ₽ | |
| от 8000 | 77,45 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMS099N10LGS |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 8.2 A |
| Pulsed drain current | 48 A |
| Рассеиваемая мощность | 3 W |
| Корпус | SOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 14 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 57.5nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.2A; Idm: 48A; 3W; SOP8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.