WAYON
Транзистор WMS090DNV6LG4
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 65 V
- Drain current
- 12.5 A
- Pulsed drain current
- 50 A
- Рассеиваемая мощность
- 3.1 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 495 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%125,86 ₽
Сумма · с НДС 22%125,86 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 125,86 ₽ | |
| от 10 | 74,57 ₽ | |
| от 25 | 67,25 ₽ | |
| от 100 | 59,36 ₽ | |
| от 500 | 55,04 ₽ | |
| от 2000 | 51,28 ₽ | |
| от 4000 | 47,71 ₽ | |
| от 8000 | 46,40 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMS090DNV6LG4 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 65 V |
| Drain current | 12.5 A |
| Pulsed drain current | 50 A |
| Рассеиваемая мощность | 3.1 W |
| Корпус | SOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 22.1nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 12.5A; Idm: 50A; 3.1W; SOP8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.