WAYON
Транзистор WMS08DP03TS
- Type of transistor
- P-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -8 A
- Pulsed drain current
- -40 A
- Рассеиваемая мощность
- 2.7 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 278 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%131,54 ₽
Сумма · с НДС 22%131,54 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 131,54 ₽ | |
| от 10 | 62,53 ₽ | |
| от 25 | 52,26 ₽ | |
| от 100 | 49,37 ₽ | |
| от 500 | 43,61 ₽ | |
| от 2000 | 38,74 ₽ | |
| от 4000 | 36,40 ₽ | |
| от 8000 | 34,24 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMS08DP03TS |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -8 A |
| Pulsed drain current | -40 A |
| Рассеиваемая мощность | 2.7 W |
| Корпус | SOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 24 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 20nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; SOP8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.