WAYON
Транзистор WMS080N10LG2
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 10 A
- Pulsed drain current
- 260 A
- Power dissipation
- 3 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%159,91 ₽
Сумма · с НДС 22%159,91 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 159,91 ₽ | |
| от 10 | 106,15 ₽ | |
| от 25 | 95,37 ₽ | |
| от 100 | 84,38 ₽ | |
| от 500 | 78,03 ₽ | |
| от 2000 | 73,21 ₽ | |
| от 4000 | 68,01 ₽ | |
| от 8000 | 65,89 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMS080N10LG2 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 10 A |
| Pulsed drain current | 260 A |
| Power dissipation | 3 W |
| Корпус | SOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 11 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 15.7nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.