WAYON
Транзистор WMQ140DNV6LG4
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 65 V
- Drain current
- 30 A
- Pulsed drain current
- 120 A
- Рассеиваемая мощность
- 23.6 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 187 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%110,01 ₽
Сумма · с НДС 22%110,01 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 110,01 ₽ | |
| от 10 | 65,64 ₽ | |
| от 25 | 59,30 ₽ | |
| от 100 | 52,40 ₽ | |
| от 500 | 48,67 ₽ | |
| от 3000 | 45,31 ₽ | |
| от 6000 | 42,33 ₽ | |
| от 12000 | 40,65 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMQ140DNV6LG4 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 65 V |
| Drain current | 30 A |
| Pulsed drain current | 120 A |
| Рассеиваемая мощность | 23.6 W |
| Корпус | PDFN3030-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 16 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 14nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 30A; Idm: 120A; 23.6W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.