WAYON
Транзистор WMQ090N04LG2
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 40 V
- Drain current
- 25.3 A
- Pulsed drain current
- 160 A
- Рассеиваемая мощность
- 27.7 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 490 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%137,70 ₽
Сумма · с НДС 22%137,70 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 137,70 ₽ | |
| от 10 | 54,89 ₽ | |
| от 25 | 45,40 ₽ | |
| от 100 | 43,17 ₽ | |
| от 500 | 38,15 ₽ | |
| от 3000 | 34,43 ₽ | |
| от 6000 | 32,19 ₽ | |
| от 12000 | 30,33 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMQ090N04LG2 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40 V |
| Drain current | 25.3 A |
| Pulsed drain current | 160 A |
| Рассеиваемая мощность | 27.7 W |
| Корпус | PDFN3030-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 5.6nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 25.3A; Idm: 160A; 27.7W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.