Антава

WAYON

Транзистор WMO90R830S

WMO90R830S
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ S
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
7 A
Power dissipation
73 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMO90R830S
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ S
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current7 A
Power dissipation73 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.83 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 7A; 73W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.