Антава

WAYON

Транзистор WMO5N50D1B

WMO5N50D1B
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ D1
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMO5N50D1B
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current5 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation45 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.35 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 45W

Документация

Документы пока не предоставлены.