Антава

WAYON

Транзистор WMO4N80D1B

WMO4N80D1B
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ D1
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
16 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMO4N80D1B
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current4 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation96 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W

Документация

Документы пока не предоставлены.