Антава

WAYON

Транзистор WMO4N65D1B

WMO4N65D1B
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
4A
Pulsed drain current
16A
Power dissipation
77W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMO4N65D1B
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current4A
Pulsed drain current16A
Power dissipation77W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.