Антава

WAYON

Транзистор WMO35P04T1

WMO35P04T1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40V
Drain current
-35A
Pulsed drain current
-140A
Power dissipation
40.3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMO35P04T1
ПроизводительWAYON
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-35A
Pulsed drain current-140A
Power dissipation40.3W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance19mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -140A; 40.3W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.