Антава

WAYON

Транзистор WMO2N100D1

WMO2N100D1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ D1
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
2 A
Pulsed drain current
8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMO2N100D1
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current2 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation60 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance6.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W

Документация

Документы пока не предоставлены.