Антава

WAYON

Транзистор WMO18N65EM

WMO18N65EM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ EM
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
8.6 A
Pulsed drain current
43 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMO18N65EM
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ EM
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current8.6 A
Pulsed drain current43 A
Power dissipation125 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.