Антава

WAYON

Транзистор WMO13P10TS

WMO13P10TS
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-13.4A
Pulsed drain current
-53.6A
Power dissipation
62.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMO13P10TS
ПроизводительWAYON
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-13.4A
Pulsed drain current-53.6A
Power dissipation62.5W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.17Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13.4A; Idm: -53.6A; 62.5W

Документация

Документ производителя