Антава

WAYON

Транзистор WMO11N65SR

WMO11N65SR
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
WMOS™ SR
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
5.4A
Pulsed drain current
19A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMO11N65SR
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyWMOS™ SR
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current5.4A
Pulsed drain current19A
Power dissipation63W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 19A; 63W

Документация

Документы пока не предоставлены.