Антава

WAYON

Транзистор WMO11N65C4

WMO11N65C4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ C4
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
4.8 A
Pulsed drain current
19 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMO11N65C4
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ C4
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current4.8 A
Pulsed drain current19 A
Power dissipation57 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.56 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W

Документация

Документ производителя