Антава

WAYON

Транзистор WMO10N65EM

WMO10N65EM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ EM
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
4.8 A
Pulsed drain current
24 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMO10N65EM
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ EM
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current4.8 A
Pulsed drain current24 A
Power dissipation63 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 24A; 63W

Документация

Документы пока не предоставлены.