Антава

WAYON

Транзистор WMO09N20DM

WMO09N20DM
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
36 A
Power dissipation
80 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMO09N20DM
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current9 A
Pulsed drain current36 A
Power dissipation80 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 80W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.