Антава

WAYON

Транзистор WMO099N10HGS

WMO099N10HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
43 A
Pulsed drain current
268 A
Рассеиваемая мощность
89.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%161,55 ₽

Сумма · с НДС 22%161,55 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1161,55 ₽
от 10110,64 ₽
от 25104,63 ₽
от 10092,04 ₽
от 25083,22 ₽
от 100077,58 ₽
от 250074,57 ₽
от 500071,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMO099N10HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current43 A
Pulsed drain current268 A
Рассеиваемая мощность89.3 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge59nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 268A; 89.3W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.