Антава

WAYON

Транзистор WMO08N20JN

WMO08N20JN
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
4.8 A
Pulsed drain current
24 A
Power dissipation
31 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMO08N20JN
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current4.8 A
Pulsed drain current24 A
Power dissipation31 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time67ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 24A; 31W; TO252

Документация

Документ производителя