Антава

WAYON

Транзистор WMN06N80M3

WMN06N80M3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ M3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMN06N80M3
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ M3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Power dissipation50 W
КорпусTO262
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO262

Документация

Документ производителя