WAYON
Транзистор WMMB020N10HG4
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 238 A
- Pulsed drain current
- 952 A
- Power dissipation
- 277.8 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 184 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%490,07 ₽
Сумма · с НДС 22%490,07 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 490,07 ₽ | |
| от 5 | 463,48 ₽ | |
| от 25 | 408,39 ₽ | |
| от 100 | 368,50 ₽ | |
| от 800 | 341,91 ₽ | |
| от 1600 | 332,41 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMMB020N10HG4 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 238 A |
| Pulsed drain current | 952 A |
| Power dissipation | 277.8 W |
| Корпус | TO263-7 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2.5 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 123.4nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 238A; Idm: 952A; 277.8W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.