Антава

WAYON

Транзистор WMM10N80M3

WMM10N80M3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ M3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10 A
Power dissipation
85 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMM10N80M3
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ M3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10 A
Power dissipation85 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.03 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO263

Документация

Документ производителя