Антава

WAYON

Транзистор WMM043N10HGS

WMM043N10HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
145A
Pulsed drain current
580A
Power dissipation
208W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMM043N10HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current145A
Pulsed drain current580A
Power dissipation208W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge98.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.