Антава

WAYON

Транзистор WMM028N10HGS

WMM028N10HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
257 A
Pulsed drain current
1028 A
Рассеиваемая мощность
379 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMM028N10HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current257 A
Pulsed drain current1028 A
Рассеиваемая мощность379 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge134nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.