Антава

WAYON

Транзистор WMM023N08HGS

WMM023N08HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
270A
Pulsed drain current
1.08kA
Power dissipation
329W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMM023N08HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current270A
Pulsed drain current1.08kA
Power dissipation329W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.6mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge145nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 329W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.