Антава

WAYON

Транзистор WML80R1K0S

WML80R1K0S
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ S
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.6 A
Pulsed drain current
22 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWML80R1K0S
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ S
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.6 A
Pulsed drain current22 A
Power dissipation29 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.05 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 22A; 29W

Документация

Документы пока не предоставлены.