Антава

WAYON

Транзистор WML6N80D1

WML6N80D1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ D1
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
24 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWML6N80D1
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current6 A
Pulsed drain current24 A
Power dissipation41.7 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 41.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.