Антава

WAYON

Транзистор WML080N10HG2

WML080N10HG2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
26 A
Pulsed drain current
168 A
Power dissipation
28.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWML080N10HG2
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current26 A
Pulsed drain current168 A
Power dissipation28.4 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge25.4nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.