Антава

WAYON

Транзистор WMK9N50D1B

WMK9N50D1B
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
WMOS™ D1
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
9A
Pulsed drain current
36A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMK9N50D1B
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current9A
Pulsed drain current36A
Power dissipation150W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.68Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 9A; Idm: 36A; 150W

Документация

Документ производителя