Антава

WAYON

Транзистор WMK4N90D1B

WMK4N90D1B
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ D1
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
16 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMK4N90D1B
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current4 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation63 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.85 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge34nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W

Документация

Документы пока не предоставлены.