Антава

WAYON

Транзистор WMK4N65D1B

WMK4N65D1B
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ D1
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
16 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 225 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%62,23 ₽

Сумма · с НДС 22%186,69 ₽

От 3 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 362,23 ₽
от 1046,82 ₽
от 5041,23 ₽
от 25036,99 ₽
от 50034,49 ₽
от 200032,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMK4N65D1B
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current4 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation112 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge14.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W

Документация

Документы пока не предоставлены.