WAYON
Транзистор WMJ90N65SR
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- WMOS™ SR
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 60 A
- Pulsed drain current
- 350 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 125 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 730,73 ₽
Сумма · с НДС 22%1 730,73 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 730,73 ₽ | |
| от 3 | 1 603,55 ₽ | |
| от 10 | 1 529,82 ₽ | |
| от 30 | 1 376,84 ₽ | |
| от 120 | 1 282,84 ₽ | |
| от 300 | 1 234,92 ₽ | |
| от 900 | 1 190,68 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMJ90N65SR |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | WMOS™ SR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 60 A |
| Pulsed drain current | 350 A |
| Рассеиваемая мощность | 460 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 33 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 183nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.