Антава

WAYON

Транзистор WMJ80R350S

WMJ80R350S
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ S
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
8.4 A
Pulsed drain current
56 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 295 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 365,94 ₽

Сумма · с НДС 22%1 365,94 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 365,94 ₽
от 31 092,37 ₽
от 10820,72 ₽
от 30735,95 ₽
от 120683,93 ₽
от 300653,11 ₽
от 900585,68 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMJ80R350S
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ S
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current8.4 A
Pulsed drain current56 A
Power dissipation183 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.33 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge31nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W

Документация

Документы пока не предоставлены.