WAYON

Транзистор WMJ80R160S

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800 V
Drain current: 15 A
Pulsed drain current: 96 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	WMJ80R160S
Производитель	WAYON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	WMOS™ S
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	800 V
Drain current	15 A
Pulsed drain current	96 A
Power dissipation	250 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.18 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	46nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 15A; Idm: 96A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.