WAYON
Транзистор WMJ80N65F2
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- WMOS™ F2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 45 A
- Pulsed drain current
- 245 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 302 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 285,09 ₽
Сумма · с НДС 22%2 285,09 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 2 285,09 ₽ | |
| от 3 | 1 827,31 ₽ | |
| от 10 | 1 369,53 ₽ | |
| от 30 | 1 234,67 ₽ | |
| от 120 | 1 141,59 ₽ | |
| от 300 | 1 090,31 ₽ | |
| от 900 | 978,24 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMJ80N65F2 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | WMOS™ F2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 45 A |
| Pulsed drain current | 245 A |
| Power dissipation | 410 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 37 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 26.2nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Reverse recovery time | 190ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.