Антава

WAYON

Транзистор WMJ80N60EM

WMJ80N60EM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ EM
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
48 A
Pulsed drain current
295 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMJ80N60EM
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ EM
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current48 A
Pulsed drain current295 A
Power dissipation430 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance43 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge142nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W

Документация

Документы пока не предоставлены.