WAYON
Транзистор WMJ53N65F2
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- WMOS™ F2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 26 A
- Pulsed drain current
- 90 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 6 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 832,17 ₽
Сумма · с НДС 22%1 832,17 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 832,17 ₽ | |
| от 3 | 1 464,20 ₽ | |
| от 10 | 1 098,15 ₽ | |
| от 30 | 988,33 ₽ | |
| от 120 | 917,05 ₽ | |
| от 300 | 874,66 ₽ | |
| от 900 | 786,04 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMJ53N65F2 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | WMOS™ F2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 26 A |
| Pulsed drain current | 90 A |
| Power dissipation | 350 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 78 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 58nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.