Антава

WAYON

Транзистор WMJ3N120D1

WMJ3N120D1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ D1
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
3 A
Pulsed drain current
12 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 252 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%324,81 ₽

Сумма · с НДС 22%324,81 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1324,81 ₽
от 3258,33 ₽
от 10195,65 ₽
от 30174,75 ₽
от 120163,36 ₽
от 300153,86 ₽
от 900140,56 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMJ3N120D1
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current3 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation156.2 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance6.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge22.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A

Документация

Документы пока не предоставлены.