Антава

WAYON

Транзистор WMJ30N65EM

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ EM
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMJ30N65EM
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ EM
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current16 A
Pulsed drain current100 A
Power dissipation210 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge42nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W

Документация

Документы пока не предоставлены.