Антава

WAYON

Транзистор WMJ220N20HG3

WMJ220N20HG3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
82 A
Pulsed drain current
328 A
Рассеиваемая мощность
329 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMJ220N20HG3
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current82 A
Pulsed drain current328 A
Рассеиваемая мощность329 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance21 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 82A; Idm: 328A; 329W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.