Антава

WAYON

Транзистор WMJ10N80D1

WMJ10N80D1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ D1
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMJ10N80D1
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation215 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance910 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge33nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W

Документация

Документы пока не предоставлены.