Антава

WAYON

Транзистор WMJ028N10HGS

WMJ028N10HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
228 A
Pulsed drain current
912 A
Power dissipation
320.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMJ028N10HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current228 A
Pulsed drain current912 A
Power dissipation320.5 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge145nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.