Антава

WAYON

Транзистор WMJ023N08HGS

WMJ023N08HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
280 A
Pulsed drain current
1120 A
Power dissipation
320.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMJ023N08HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current280 A
Pulsed drain current1120 A
Power dissipation320.5 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 280A; Idm: 1120A; 320.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.