Антава

WAYON

Транзистор WMJ020N10HGS

WMJ020N10HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
288 A
Pulsed drain current
1152 A
Рассеиваемая мощность
347.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 255 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%622,99 ₽

Сумма · с НДС 22%622,99 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1622,99 ₽
от 3587,97 ₽
от 10519,77 ₽
от 30468,16 ₽
от 90436,83 ₽
от 300422,08 ₽
от 900403,65 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMJ020N10HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current288 A
Pulsed drain current1152 A
Рассеиваемая мощность347.2 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge250nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W

Документация

Документ производителя