WAYON

Транзистор WMH4N80D1

TO251S3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800 V
Drain current: 4 A
Pulsed drain current: 16 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	WMH4N80D1
Производитель	WAYON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	WMOS™ D1
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	800 V
Drain current	4 A
Pulsed drain current	16 A
Power dissipation	156 W
Корпус	TO251S3
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	3.2 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	24.5nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W

Документация

Документы пока не предоставлены.