Антава

WAYON

Транзистор WMB75N25JN

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
21 A
Pulsed drain current
105 A
Power dissipation
90 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMB75N25JN
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current21 A
Pulsed drain current105 A
Power dissipation90 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time170ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 21A; Idm: 105A; 90W; 170ns

Документация

Документ производителя