Антава

WAYON

Транзистор WMB510N15HG2

WMB510N15HG2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
28 A
Pulsed drain current
112 A
Рассеиваемая мощность
80.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 80 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%205,11 ₽

Сумма · с НДС 22%205,11 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1205,11 ₽
от 10146,19 ₽
от 25137,98 ₽
от 100121,57 ₽
от 500113,18 ₽
от 3000105,72 ₽
от 600098,45 ₽
от 1200094,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMB510N15HG2
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current28 A
Pulsed drain current112 A
Рассеиваемая мощность80.6 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance51 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; Idm: 112A; 80.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.